Konu "Kristal Yapı" için Fen Bilimleri Enstitüsü listeleme
Toplam kayıt 2, listelenen: 1-2
-
Bazı kristallerin inelastik diferansiyel saçılma tesir kesitlerinin enerji ayrımlı X-ışını spektrometresi ile ölçümü
(Recep Tayyip Erdoğan Üniversitesi / Fen Bilimleri Enstitüsü / Fizik Anabilim Dalı, 2012)Bu çalışmada; 59,54 keV'lik foton yayımlayan noktasal 241Am radyoizotop kaynağı kullanılarak Si ve GaAs yarıiletkenlerin inelastik diferansiyel saçılma tesir kesitleri 130, 135, 140, 145 ve 150 derecelik açılarda ölçüldü. ... -
Dış elektrik alanın bazı yarı iletkenlerin kütle soğurma katsayısına etkisi
(Rize Üniversitesi / Fen Bilimleri Enstitüsü / Fizik Anabilim Dalı, 2011)Bu çalışmanın ilk aşamasında; filtrelenmiş, 59.54 keV'lik foton yayımlayan noktasal 241Am radyoizotop kaynağı kullanılarak, Au/n?Si/n+Si/Al, n-tipi GaAs, p-tipi GaAs, n-tipi Si yarı iletkenlerin kütle soğurma katsayıları ...