Üçlü ters parabolik kuantum bariyer çift kuyu potansiyelinde enerji seviyeleri ile elektron geçişinin örgü parametreleri ve yoğun lazer alanına bağlılığının incelenmesi
Citation
Batı, M. (2021). Üçlü Ters Parabolik Kuantum Bariyer Çift Kuyu Potansiyelinde Enerji Seviyeleri ile Elektron Geçişinin Örgü Parametreleri ve Yoğun Lazer Alanına Bağlılığının İncelenmesi. International journal of advances in engineering and pure sciences, 33(2), 243-249. https://doi.org/10.7240/jeps.779555Abstract
Bu çalışmanın amacı, yoğun lazer alanı altında GaAs/AlGaAs lardan oluşan üçlü ters parabolik kuantum bariyer çift kuyu
potansiyelinde elektronik iletimi ve enerji seviyelerinin bariyer genişlikleri, lazer alanı giydirme parametresine bağlılığını
araştırmaktır. Çalışmada Denge-dışı Green fonksiyonları yöntemi kullanılarak iletim olasılıkları ve rezonans enerji seviyeleri
tespit edilmiştir. Lazer alanının ve yapı parametrelerinin rezonans tünellemeyi oldukça etkilediği, enerji seviyelerinin yerlerinin
kontrolünün bu parametrelerle yapılabildiği görülmüştür. Lazer alanının artmasıyla enerji seviyelerinin daha yüksek enerjilerde
ortaya çıktığı görülmüştür. Yapının rezonans tünelleme özelliğinin kontrolü işlevsel nano-aygıt yapımında oldukça önem arz
etmektedir. The aim of this study is to investigate the dependence of the transmission properties and energy state of the triple inverse
parabolic quantum barrier double well potential structure made up of GaAs/AlGaAs under the intense laser field with the well
and barrier widths and the laser field dressing parameter. In our work, In the study, transmission probabilities and resonance
energy levels were determined using the Non-Equilibrium Green functions method. It has been observed that laser field and
structure parameters affect resonance tunneling and control of the location of energy levels can be done with these parameters.
It has been observed that energy levels emerge at higher energies as the laser field increases. The control of the resonance
tunneling feature of the structure is very important in the production of functional nano-devices.