• Türkçe
    • English
  • Türkçe 
    • Türkçe
    • English
  • Giriş
Öğe Göster 
  •   RTEÜ
  • Araştırma Çıktıları | TR-Dizin | WoS | Scopus | PubMed
  • Scopus İndeksli Yayınlar Koleksiyonu
  • Öğe Göster
  •   RTEÜ
  • Araştırma Çıktıları | TR-Dizin | WoS | Scopus | PubMed
  • Scopus İndeksli Yayınlar Koleksiyonu
  • Öğe Göster
JavaScript is disabled for your browser. Some features of this site may not work without it.

Improvement in performance of SnSe-based photodetectors via post deposition sulfur diffusion

Göster/Aç

Tam Metin / Full Text (4.697Mb)

Erişim

info:eu-repo/semantics/closedAccess

Tarih

2024

Yazar

Yılmaz, Salih
Başol, Bülent M.
Polat, İsmail
Olğar, Mehmet Ali
Bayazıt, Tuğba
Küçükömeroğlu, Tayfur

Üst veri

Tüm öğe kaydını göster

Künye

Yılmaz, S., Başol, B.M., Polat, İ., Olğar, M.A., Bayazıt, T., Küçükömeroğlu, T. & Bacaksız, E. (2024). Improvement in performance of SnSe-based photodetectors via post deposition sulfur diffusion. Sensors and Actuators A: Physical, 372, 115348. https://doi.org/10.1016/j.sna.2024.115348

Özet

The work represents an enhancement in the photodetector properties of thermally evaporated SnSe thin films through both annealing and sulfurization processes. X-ray diffraction analysis showed the formation of SnSe1-xSx alloy with a graded composition that was more S-rich near the surface when the sulfurization process was applied at 350 °C. Scanning electron microscopy results indicated that increasing the annealing temperature from 300 ºC to 350 ºC changed the microstructure greatly. When the sulfurization temperature was increased from 300 ºC to 350 ºC, the direct band gap of SnSe thin films decreased from 1.38 eV to 1.30 eV while the indirect band gap reduced from 0.91 eV to 0.71 eV. Raman spectra also confirmed the development of phase of SnSe1-xSx for the sulfurized sample at 350 °C. Photocurrent-time curves of devices fabricated on all films demonstrated that sulfurization at high temperature increased the photocurrent values. It was further determined that devices made on sulfurized layers had smaller rise/fall times of 2.57/2.33 s compared to those fabricated on non-sulfurized films. The best responsivity and detectivity values were achieved as 2.07 × 10−1 A/W and 1.19 × 107 Jones, respectively, for photodetectors fabricated on layers sulfurized at 350 °C.

Kaynak

Sensors and Actuators A: Physical

Cilt

372

Bağlantı

https://doi.org/10.1016/j.sna.2024.115348
https://hdl.handle.net/11436/8978

Koleksiyonlar

  • Merkezi Araştırma Laboratuvarı Uygulama ve Araştırma Merkezi Koleksiyonu [9]
  • Scopus İndeksli Yayınlar Koleksiyonu [5931]
  • WoS İndeksli Yayınlar Koleksiyonu [5260]



DSpace software copyright © 2002-2015  DuraSpace
İletişim | Geri Bildirim
Theme by 
@mire NV
 

 




| Yönerge | Rehber | İletişim |

DSpace@RTEÜ

by OpenAIRE
Gelişmiş Arama

sherpa/romeo

Göz at

Tüm DSpaceBölümler & KoleksiyonlarTarihe GöreYazara GöreBaşlığa GöreKonuya GöreTüre GöreDile GöreBölüme GöreKategoriye GöreYayıncıya GöreErişim ŞekliKurum Yazarına GöreBu KoleksiyonTarihe GöreYazara GöreBaşlığa GöreKonuya GöreTüre GöreDile GöreBölüme GöreKategoriye GöreYayıncıya GöreErişim ŞekliKurum Yazarına Göre

Hesabım

GirişKayıt

İstatistikler

Google Analitik İstatistiklerini Görüntüle

DSpace software copyright © 2002-2015  DuraSpace
İletişim | Geri Bildirim
Theme by 
@mire NV
 

 


|| Rehber|| Yönerge || Kütüphane || Recep Tayyip Erdoğan Üniversitesi || OAI-PMH ||

Recep Tayyip Erdoğan Üniversitesi, Rize, Türkiye
İçerikte herhangi bir hata görürseniz, lütfen bildiriniz:

Creative Commons License
Recep Tayyip Erdoğan Üniversitesi Institutional Repository is licensed under a Creative Commons Attribution-NonCommercial-NoDerivs 4.0 Unported License..

DSpace@RTEÜ:


DSpace 6.2

tarafından İdeal DSpace hizmetleri çerçevesinde özelleştirilerek kurulmuştur.