• Türkçe
    • English
  • Türkçe 
    • Türkçe
    • English
  • Giriş
Öğe Göster 
  •   RTEÜ
  • Araştırma Çıktıları | TR-Dizin | WoS | Scopus | PubMed
  • TR-Dizin İndeksli Yayınlar Koleksiyonu
  • Öğe Göster
  •   RTEÜ
  • Araştırma Çıktıları | TR-Dizin | WoS | Scopus | PubMed
  • TR-Dizin İndeksli Yayınlar Koleksiyonu
  • Öğe Göster
JavaScript is disabled for your browser. Some features of this site may not work without it.

Influence of thermal annealing on the Band-Gap of tio2 thin films produced by the Sol-Gel method

Göster/Aç

Tam Metin / Full Text (911.6Kb)

Erişim

info:eu-repo/semantics/openAccess

Tarih

2024

Yazar

Kanmaz, İmran
Tomakin, Murat
Aytemiz, Göksel
Manır, Melih
Nevruzoğlu, Vagif

Üst veri

Tüm öğe kaydını göster

Künye

Kanmaz, İ., Tomakin, M., Aytemiz, G., Manır, M., & Nevruzoğlu, V. (2024). Influence of Thermal Annealing on the Band-Gap of TiO2 Thin Films Produced by the Sol-Gel Method. Recep Tayyip Erdoğan Üniversitesi Fen ve Mühendislik Bilimleri Dergisi, 5(1), 49–56. https://doi.org/10.53501/rteufemud.1395013

Özet

In our study, we used the spin coating method to produce TiO2 thin films on quartz glass using a solution with a concentration of 0.5M. After the coating process, the samples were dried in air at 100°C. Subsequently, annealing was carried out at four different temperatures, namely 300°C, 500°C, 700°C, and 900°C, for a duration of 60 minutes. Comprehensive analyzes including Scanning Electron Microscopy (SEM), Energy Dispersive Spectroscopy (EDS), X-ray Diffraction (XRD) and optical measurements were carried out to investigate the structural and optical properties of the samples. Optical measurements showed that the highest average transmittance values were obtained for samples annealed at 300°C and 500°C, with percentages of 82.33% and 80.25%, respectively. Remarkably, the maximum transmittance of 99.58% was recorded for films annealed at 500°C. Additionally, band-gap calculations were performed using the Tauc method based on optical measurements of samples exposed to different annealing temperatures. According to our results, samples annealed at 300°C, 500°C, 700°C, and 900°C exhibited band-gap values of 3.42eV, 3.40eV, 3.38eV, and 3.29eV, respectively.

Kaynak

Recep Tayyip Erdoğan Üniversitesi Fen ve Mühendislik Bilimleri Dergisi

Cilt

5

Sayı

1

Bağlantı

https://doi.org/10.53501/rteufemud.1395013
https://hdl.handle.net/11436/9536

Koleksiyonlar

  • Enerji Sistemleri Mühendisliği Bölümü Koleksiyonu [117]
  • FEF, Fizik Bölümü Koleksiyonu [355]
  • TR-Dizin İndeksli Yayınlar Koleksiyonu [2844]



DSpace software copyright © 2002-2015  DuraSpace
İletişim | Geri Bildirim
Theme by 
@mire NV
 

 




| Yönerge | Rehber | İletişim |

DSpace@RTEÜ

by OpenAIRE
Gelişmiş Arama

sherpa/romeo

Göz at

Tüm DSpaceBölümler & KoleksiyonlarTarihe GöreYazara GöreBaşlığa GöreKonuya GöreTüre GöreDile GöreBölüme GöreKategoriye GöreYayıncıya GöreErişim ŞekliKurum Yazarına GöreBu KoleksiyonTarihe GöreYazara GöreBaşlığa GöreKonuya GöreTüre GöreDile GöreBölüme GöreKategoriye GöreYayıncıya GöreErişim ŞekliKurum Yazarına Göre

Hesabım

GirişKayıt

İstatistikler

Google Analitik İstatistiklerini Görüntüle

DSpace software copyright © 2002-2015  DuraSpace
İletişim | Geri Bildirim
Theme by 
@mire NV
 

 


|| Rehber|| Yönerge || Kütüphane || Recep Tayyip Erdoğan Üniversitesi || OAI-PMH ||

Recep Tayyip Erdoğan Üniversitesi, Rize, Türkiye
İçerikte herhangi bir hata görürseniz, lütfen bildiriniz:

Creative Commons License
Recep Tayyip Erdoğan Üniversitesi Institutional Repository is licensed under a Creative Commons Attribution-NonCommercial-NoDerivs 4.0 Unported License..

DSpace@RTEÜ:


DSpace 6.2

tarafından İdeal DSpace hizmetleri çerçevesinde özelleştirilerek kurulmuştur.